|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных плёнках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411)Астатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Галиев Г.Б., Грехов М.М., Китаева Г.Х., Климов Е.А., Клочков А.Н., Коленцова О.С., Корниенко В.В., Кузнецов К.А., Мальцев П.П., Пушкарёв С.С.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 51
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 322
- Последняя страница: 330
- DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
- Аннотация: Представлены данные о низкотемпературном росте эпитаксиальных пленок In0.53Ga0.47As на подложках InP с ориентацией (100) и, впервые, на подложках InP с ориентацией (411)А при Tg = 200 °C и различных давлениях мышьяка. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Спектры терагерцового излучения, генерируемого эпитаксиальными плёнками LT-InGaAs при накачке фемтосекундным волоконным Er3+-лазером, исследовались методом терагерцовой спектроскопии временного разрешения. Обнаружено, что генерация терагерцевого излучения слоями LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3–5 раз эффективнее, чем такими же слоями на подложках InP (100). Это свидетельствует о том, что для устройств-источников излучения в терагерцовом и гигагерцовом диапазонах частот использование подложек InP с ориентацией (n11)A при выращивании LT-InGaAs может оказаться существенно более предпочтительным.
- Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич