Свойства биполярных гетеротранзисторов с двумя гетеропереходами при полной максвеллизации неравновесных носителей в базестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2020 г.
Аннотация:Рассмотрены свойства биполярных гетеротранзисторов с двумя гетеропереходами.
Properties of bipolar heterotransistor with two heterojunctions with full maxwellization nonequilibrium carriers in the base by A. A. Zakharova published in Mikroelectronika (Soviet Microelectronics) 15(5), 460-462 (1986).
Статья цитируется в работе
Захарова А. А. Особенности характеристик двойных гетероструктурных биполярных транзисторов типа n-p-n в условиях разогрева и охлаждения электронов и дырок в базе // Микроэлектроника. — 1987. — Т. 16, № 2. — С. 140–144