|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Self–consistent modeling of the current—voltage characteristics of resonant tunneling structures with type II heterojunctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2020 г.
- Авторы: Lapushkin I., Gergel V., Zakharova A., Goronkin H., Tehrani S.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 82
- Номер: 5
- Год издания: 1997
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 2421
- Последняя страница: 2426
- DOI: 10.1063/1.366261
- Аннотация: We present a model and results of self-consistent calculation of current–voltage (I–V) characteristics of the InAs/AlSb/InAs, InAs/AlSb/GaSb resonant tunneling structures with type II heterojunctions. The different current components, charge accumulation in the quantum well and quasi-Fermi level variation in contacts and spacers due to the drift-diffusion processes, are taken into account. The kp band model is used to describe the interband and intraband tunneling processes. The transfer Hamiltonian approach is employed to obtain the resonant tunneling current density and charge density in the quantum well. A good quantitative agreement with the experiment is obtained for both structures including the agreement for the values of peak-to-valley (P/V) current ratio. Modeling of the current—voltage characteristics of the resonant tunneling structures Статья цитируется в работе Gergel V.A., Khrenov G.Yu, Lapushkin I.Yu, Shchamkhalova B.S., Zakharova A.A. в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 13, с. 16-25
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна