Межзонное резонансное туннелирование в полупроводниковых гетероструктурах в квантующем магнитном полестатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 июня 2021 г.
Аннотация:Рассмотрен эффект резонансного туннелирования электронов через квазистационарные уровни в валентной зоне квантовой ямы в духбарьерных струкутрах на основе материалов А3В5 с гетеропереходами втогого типа в квантующем магнитном поле, направленном перпендикулюрно гетерограницам. Вычислены коэффициенты пропускания туннельной структуры для переходов из состояний, соответствующим различных уровням Ландау с использованием модели Кейна. Показано, что возможны переходы с изменением номера уровня Ландау на единицу за счет смешивания состояний с противоположной спиновой ориентацией на геретограницах из-за спин-орбитального взаимодействия. Причем вероятность таких переходов может быть сравнима с вероятностью переходов без изменения номера уровня Ландау.
Статья цитируется в работах:
INTERBAND RESONANT MAGNETOTUNNELLING IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
Zakharova A.
Journal of Physics: Condensed Matter. 1999. Т. 11. № 24. С. 4675-4688.
INTERBAND RESONANT TUNNELLING IN QUANTIZING MAGNETIC FIELD
Theoretical investigation of interband magnetotunnelling in semiconductor heterostructures
Zakharova A.
в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 14, с. 68-75
Zakharova A.
Solid State Communications. 2000. Т. 113. № 10. С. 599-602.
RESONANCE TUNNELING AND SLOW ELECTRON REFLECTION SPECTRA IN LAYERED BITEI AND BITEBR SEMICONDUCTORS
Popik T.Yu., Shpenik O.B., Puga P.P., Popik Yu.V.
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2000. Т. 2. № 2. С. 171-176.