|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wellsтезисы доклада
- Авторы: Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- Сборник: Proceedings of the International conference “Micro- and nanoelectronics-2003”
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Moscow-Zvenigorod
- Первая страница: P2-104
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна