|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Probing States of a Double Acceptor in CdHgTe Heterostructures via Optical Gatingстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 сентября 2020 г.
- Авторы: Nikolaev I.D., Uaman Svetikova T.A., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Kozlov D.V., Morozov S.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Ikonnikov A.V.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 111
- Номер: 10
- Год издания: 2020
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 575
- Последняя страница: 581
- DOI: 10.1134/s0021364020100124
- Аннотация: Photoconductivity spectra in a HgTe/CdHgTe double quantum well with a normal band structure have been studied. Photosensitivity bands associated with the ionization of a mercury vacancy, which is a doubly charged acceptor, have been detected in photoconductivity spectra. The transformation of photoconductivity spectra when the Fermi level moves from the edge of the valence band through the band gap to the conduction band has been revealed using the residual photoconductivity effect. It has been shown that the observed absorption bands are due to the ionization of doubly charged acceptors rather than individual different singly charged states.
- Добавил в систему: Иконников Антон Владимирович