|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Моделирование вольт–амперных характеристик перспективных диодных наноструктур InAs/AlGaSb/GaSb с межзонным резонансным туннелированиемтезисы доклада
- Авторы: Лапушкин И.Ю., Захарова А.А., Гергель В.А.
- Сборник: Тезисы докладов Российской конференции “Микроэлектроника–98”
- Тезисы
- Год издания: 1998
- Первая страница: 63
- Последняя страница: 64
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна