|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Modelling of spin polarization in InAs/GaSb quantum wells under a longitudinal currentтезисы доклада
- Авторы: Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
- Сборник: Abstracts of International Conference “Micro- and nanoelectronics–2005”
- Тезисы
- Год издания: 2005
- Место издания: Zvenigorod
- Первая страница: O2-23
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна