|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Transport properties of the pressure-induced amorphous semiconductor state of Al32Ge68статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 декабря 2013 г.
- Авторы: Antonov V.E., Barkalov O.I., Gurov A.F., Harkunov A.I., Kolyubakin A.I.
- Журнал: Journal of Physics Condensed Matter
- Том: 14
- Номер: 44
- Год издания: 2002
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 11227
- Последняя страница: 11232
- DOI: 10.1088/0953-8984/14/44/458
- Аннотация: The temperature dependences of the dc conductivity and thermopower of the bulk amorphous alloy Al32Ge68 were investigated at 6-420 K and at 80-370 K, respectively. The samples were prepared by solid-state amorphization of a quenched crystalline high-pressure phase while heating from 77 to 400 K at ambient pressure. Amorphous Al32Ge68 was found to be a p-type semiconductor with an unusual combination of transport properties. The behaviour of the properties was described semi-quantitatively in terms of a modified Mott-Davis model assuming that the Fermi level lies inside the valence band tail.
- Добавил в систему: Антонов Владимир Евгеньевич