|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторовстатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А.
- Журнал: Наноиндустрия
- Номер: S (82)
- Год издания: 2018
- Издательство: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 404
- Последняя страница: 405
- Аннотация: Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович