Аннотация:В стандартной версии системы TCAD учитываются дозовые эффекты, обусловленные воздействием только гамма-излучения, а остальные виды излучения не учитываются. В настоящей работе в систему Synopsys Sentaurus включены физические модели, учитывающие влияние дозовых эффектов на электрофизические параметры (τ, μ, S0, Nit и др.) при воздействии нейтронного и протонного излучений, на структуры Si БТ и SiGe
ГБТ. Сравнение смоделированных и экспериментальных ВАХ Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного и протонного излучений показывают, что точность разработанных моделей составляет 10-20%.