|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Моделирование с помощью системы TCAD влияния нейтронного и протонного излучений на характеристики биполярных транзисторовтезисы доклада Тезисы
- Авторы: Петросянц К.О., Кожухов М.В.
- Сборник: НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2015. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Наука о жизни (высокотехнологическая медицина). Наноструктурная электроника. Плазменные, лазерные исследования и технологии. Прикладная математика и теоретическая физика
- Редакторы: Голотюк Олег Николаевич, Першенков Вячеслав Сергеевич, Петровский Анатолий Николаевич, Школьников Эдуард Яковлевич
- Серия: Научная сессия НИЯУ МИФИ
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Издательство: НИЯУ МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 119
- Последняя страница: 119
- Аннотация: В стандартной версии системы TCAD учитываются дозовые эффекты, обусловленные воздействием только гамма-излучения, а остальные виды излучения не учитываются. В настоящей работе в систему Synopsys Sentaurus включены физические модели, учитывающие влияние дозовых эффектов на электрофизические параметры (τ, μ, S0, Nit и др.) при воздействии нейтронного и протонного излучений, на структуры Si БТ и SiGe ГБТ. Сравнение смоделированных и экспериментальных ВАХ Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного и протонного излучений показывают, что точность разработанных моделей составляет 10-20%.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович