|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 сентября 2020 г.
- Авторы: Petrosyants Konstantin O., Kozhukhov Maxim V.
- Сборник: 2015 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS)
- Серия: Conference RADECS
- Год издания: 2015
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 9
- Последняя страница: 12
- DOI: 10.1109/radecs.2015.7365666
- Аннотация: Performance degradation of SiGe HBT after proton radiation impact is investigated using Synopsys Sentaurus tool. A new model to account for the impact of proton irradiation on physical parameters (τ, S 0 , N it ) is included in the program. The method to account for the impact of proton radiation is based on additivity of the ionization and displacement effects. Comparison of simulated and experimental characteristics of SiGe HBT after subjection to proton fluences up to 5·10 13 p/cm 2 shows the 10-20% error.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович