|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
SPICE model parameters extraction taking into account the ionizing radiation effectsстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 сентября 2020 г.
- Авторы: Petrosyants Konstantin, Kozhukhov Maxim
- Сборник: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS 2014)
- Серия: Symposium EWDTS
- Год издания: 2014
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Номер статьи: 14887849
- DOI: 10.1109/ewdts.2014.7027055
- Аннотация: Universal SPICE macro-model of Si bipolar junction transistor (BJT) and SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) taking into account total irradiation dose effects is presented. A method of macro-model radiation-dependent parameters extraction from the measured data is described. The advantage of the proposed method is simplicity of parameter definition. Simulated and measured transistor characteristics are in a good agreement.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович