Особенности экстракции параметров схемотехнических SPICE-моделей биполярных и МДП-транзисторов с учётом влияния суммарной поглощённой дозытезисы докладаТезисы
Аннотация:Специализированная библиотека SPICE-моделей Si и SiGe биполярных, Si и КНИ/КНС МДП-транзисторов включает набор макромоделей, построенных по единому принципу: ядром является современная SPICEмодель (GP, VBIC, HiCUM, Mextram; BSIM, BSIMSOI, EKV). Для учёта
дозовых эффектов используется комбинация двух подходов: добавление к модели схемных элементов и математических выражений для радиационно-зависимых параметров. Для экстракции параметров разработана методики определения параметров необлучённых транзисторов и аппроксимация зависимостей параметров от дозы, реализованная в виде полуавтоматической процедуры в IC-CAP.