|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Особенности экстракции параметров схемотехнических SPICE-моделей биполярных и МДП-транзисторов с учётом влияния суммарной поглощённой дозытезисы доклада Тезисы
- Авторы: Петросянц К.О., Кожухов М.В., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
- Сборник: НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2015. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Наука о жизни (высокотехнологическая медицина). Наноструктурная электроника. Плазменные, лазерные исследования и технологии. Прикладная математика и теоретическая физика
- Редакторы: Голотюк Олег Николаевич, Першенков Вячеслав Сергеевич, Петровский Анатолий Николаевич, Школьников Эдуард Яковлевич
- Серия: Научная сессия НИЯУ МИФИ
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Издательство: НИЯУ МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 120
- Последняя страница: 120
- Аннотация: Специализированная библиотека SPICE-моделей Si и SiGe биполярных, Si и КНИ/КНС МДП-транзисторов включает набор макромоделей, построенных по единому принципу: ядром является современная SPICEмодель (GP, VBIC, HiCUM, Mextram; BSIM, BSIMSOI, EKV). Для учёта дозовых эффектов используется комбинация двух подходов: добавление к модели схемных элементов и математических выражений для радиационно-зависимых параметров. Для экстракции параметров разработана методики определения параметров необлучённых транзисторов и аппроксимация зависимостей параметров от дозы, реализованная в виде полуавтоматической процедуры в IC-CAP.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович