|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборыстатья Исследовательская статья
- Авторы: Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В.
- Журнал: Известия ЮФУ. Технические науки
- Том: 131
- Номер: 6
- Год издания: 2012
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
- Местоположение издательства: Ростов-на-Дону
- Первая страница: 77
- Последняя страница: 82
- Аннотация: В работе представлены математические модели для учета влияния поглощенной дозы гамма-излучения и интегрального потока нейтронов на характеристики субмикронных транзисторов. Описана процедура встраивания моделей в систему приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD. Рассчитаны следующие зависимости: 1) сток-затворные характеристики для верхнего и нижнего затворов и ток утечки МОП-транзистора с длиной затвора 90 нм, изготовленного по технологии кремний на изоляторе, для различных поглощенных доз гамма-излучения; 2) фактор повреждений от интегрального потока нейтронов для гетеропереходного биполярного транзистора, выполненного по 0,13 мкм технологии кремний-германий.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович