|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Применение трековых методов при исследовании параметров чувствительности интегральных микросхем к воздействию тяжелых заряженных частицстатья
- Авторы: Васильев О.А., Воронин А.Г., Карманов Д.Е., Ковалев И.М., Курганов А.А., Меркин М.М., Панов А.Д., Подорожный Д.М., Турундаевский А.Н.
- Сборник: Приоритетные направления инновационной деятельности в промышленности
- Серия: сборник научных статей по итогам шестой международной научной конференции "Приоритетные направления инновационной деятельности в промышленности"
- Том: 1
- Год издания: 2020
- Место издания: ООО «Конверт» г. Пермь
- Первая страница: 240
- Последняя страница: 246
- Аннотация: На сегодняшний день проблема экспериментальных исследований параметров чувствительности электроники к одиночным радиационным эффектам далека от полного решения. Существующие методы основаны на применении лазерных имитаторов и ускорителей ионов тяжелых ядер. Оба подхода не лишены недостатков, однако, в совокупности, позволяют решать задачи по исследованию и сертификации новых изделий электроники. Улучшить точности измерений, проводимых в этих исследованиях, можно, применив в испытаниях на ускорителях методы восстановления треков падающих на образец частиц.
- Добавил в систему: Ковалев Игорь Михайлович