|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
The Effect of Argon Ion Irradiation Parameters on the Photoluminescence Spectrum of Porous Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 января 2021 г.
- Авторы: Kozhemiako A.V., Evseev A.P., Spivak Yu M., Muratova E.N., Balakshin Yu V., Nazarov A.V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
- Журнал: Moscow University Physics Bulletin
- Том: 75
- Номер: 5
- Год издания: 2020
- Издательство: Allerton Press
- Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
- Первая страница: 465
- Последняя страница: 468
- DOI: 10.3103/S0027134920050161
- Аннотация: Porous silicon was irradiated Ar+ ions with energies of 100 and 200 keV and fluences from 10^12 cm-2 to 3·10^13 cm-2. The effect of ion irradiation at different fluences and energies of incident particles on the photoluminescence spectrum of porous silicon is studied. It was shown that ion irradiation leads to a shift in the photoluminescence maximum, which increases with increasing energy. An increase in the radiation dose leads to a decrease in the intensity of photoluminescence, without affecting the size of the maximum shift. The main mechanisms of photoluminescence in porous silicon are discussed.
- Добавил в систему: Евсеев Александр Павлович