An improvement of surface smoothness and lattice match of CeO2 buffer layers on R-sapphire processed by MOCVD

Graboy, I.E.; Kaul, A.R.; Markov, N.V.; Maleev, V.A.; Polyakov, S.N.; Svechnikov, V.L.; Zandbergen, H.W.; Dahmen, K.H.

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Graboy I.E., Kaul A.R., Markov N.V., Maleev V.A., Polyakov S.N., Svechnikov V.L., Zandbergen H.W., Dahmen K.H.
Журнал: Journal of Alloys and Compounds
Том: 251
Год издания: 1997
Издательство: Elsevier BV
Местоположение издательства: Netherlands
Первая страница: 318
Последняя страница: 321
DOI: 10.1016/S0925-8388(96)02700-4
Аннотация: Epitaxial thin films of CeO2 and Ce1−xRxO2− y (R=Y, Nd; x=0–0.32) on R-sapphire were prepared by band flash evaporation MOCVD. It was demonstrated that the smoothness of the films can be improved by a decrease of deposition rate and by post deposition annealing at 1000 °C. The lattice match of buffer layers with R-Al2O3 and YBa2Cu3O7−δ was improved by doping of ceria yttrium and neodymium correspondingly. A bilayer structure Ce0.7Nd0.3O2− y/Ce0.68Y0.32O2 − y/R-Al2O3 is proposed as potential substrate material for YBa2Cu3O7 − 6 deposition
Добавил в систему: Кауль Андрей Рафаилович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

An improvement of surface smoothness and lattice match of CeO2 buffer layers on R-sapphire processed by MOCVDстатья

Прикрепленные файлы