|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние нестехиометрии шихты и условий синтеза на кристаллизацию сегнетоэлектрической фазы Bi2GeO5тезисы доклада
- Авторы: Аветисов И.Х., Гуслистов М.И., Зыкова М.П., Петрова О.Б., Рунина К.И., Степанова И.В.
- Сборник: Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение : прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк
- Тезисы
- Год издания: 2020
- Место издания: Изд-во Мордов. ун-та Саранск
- Первая страница: 149
- Последняя страница: 149
- Аннотация: В данной работе исследовано влияние нестехиометрии шихты и температуры расплава на фазообразование в системе Bi-Ge-O. Показано, что увеличение нестехиометрии исходной шихты в сторону избытка висмута, так же, как и повышение температуры расплава способствуют кристаллизации единственной фазы Bi2GeO5.
- Добавил в систему: Степанова Ирина Владимировна