|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Рентгеноэлектронные исследования нанокомпозитной системы Ge@AAOтезисы доклада
- Авторы: Бельтюков А.Н., Аверкиев И.К.
- Сборник: Материалы XXIII Всероссиской конференции с международным участием «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Воронеж, 1-4 октября 2019)
- Тезисы
- Год издания: 2019
- Место издания: Издательский дом ВГУ Воронеж
- Первая страница: 27
- Последняя страница: 27
- Аннотация: Нанокомпозитные системы, представляющие собой полупроводниковые нанокристаллы в оксидных диэлектрических матрицах, привлекают большое внимание в связи с возможностью их применения в качестве активных элементов оптоэлектронных устройств и ячеек энергонезависимой памяти [1, 2]. Как правило, такие материалы получают в виде планарных структур по технологиям совместимым со стандартной кремниевой электроникой. Ранее в наших работах [3, 4] был предложен метод формирования нанокристаллитов германия в стенках матрицы пористого оксида алюминия ААО. Метод основан на последовательном осаждении тонких пленок алюминия и германия с последующим анодным окислением и восстановительным отжигом. Анодирование слоев алюминия происходит по стандартному механизму [5], при этом формируется микроструктура пористой матрицы. Окисление слоев с германием зависит от кристаллической и электронной структуры. Электронно- микроскопические исследования показали, что в случае аморфного германия наблюдается появление пор, свидетельствующее об анодном растворении полупроводника, а в случае кристаллического германия, подвергшегося термодиффузионному легированию, наблюдается формирование пористой матрицы, а механизм окислении сопоставим с механизмом окисления алюминия. Химический состав полученных нанокомпозитов исследовался методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на лабораторном спектрометре SPECS. В случае аморфного германия основную долю в окисленном слое полупроводника составляет GeO2. Однако уширение линий остовных уровней в сторону меньших энергий связи свидетельствует о наличии субоксидных состояний, а также позволяет выделить германий в основном состоянии. В случае кристаллического германия, на спектрах выделяются два состояния Ge(IV) и Ge(III). Появление метастабильного состояния Ge(III) связывается с образованием тройного оксида AlxGeyOz, появление которого обусловлено формированием твердого раствора AlGe при рекристаллизационном отжиге. Полученные данные позволили представить схематический механизм анодного окисления германия в многослойной системе Al/Ge. Представленные в работе данные получены в рамках госзадания №АААА-А17-117022250040-0 и проекта РНФ №17-79-10285.
- Добавил в систему: Аверкиев Игорь Кронидович