|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of high-temperature annealing on lanthanum aluminate thin films grown by ALD on Si(100)статья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Congedo G., Spiga S., Lamagna L., Lamperti A., Lebedinskii Yu, Matveyev Yu, Zenkevich A., Chernykh P., Fanciullia M.
- Журнал: Microelectronic Engineering
- Том: 86
- Номер: 7-9
- Год издания: 2009
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 1696
- Последняя страница: 1699
- Добавил в систему: Черных Павел Николаевич