|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние кристаллической структуры подложки на магнитные, электрические и кристаллографические свойства эпитаксиальных пленок La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2017 г.
- Авторы: Абрамович А.И., Горбенко О.Ю., Кауль А.Р., Королева Л.И., Мичурин А.В., Шимчак Р., Деев С.
- Журнал: Физика твердого тела
- Том: 42
- Номер: 9
- Год издания: 2000
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 1657
- Последняя страница: 1663
- DOI: 10.1134/1.1309455
- Аннотация: Изучено электросопротивление rho, магнитосопротивление Delta/rho и намагниченность эпитаксиальных пленок La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3 на подложках из ZrO2(Y2O), SrTiO3, LaAlO3 и MgO. В первой пленке реализуются четыре эквивалентных варианта кристаллографической ориентации в плоскости образца, у трех других - одна ориентация. У первой пленки по сравнению с тремя другими максимумы rho и Delta/rho в районе точки Кюри Тс сильно расширены, при этом сама величина rho на 1.5 порядка выше, а большое отрицательное магнитосопротивление ~ 10% в поле 8.4 кЭ. У всех пленок при 5 К магнитный момент на молекулу на ~ 46% меньше чисто спинового значения, что вызвано существованием магнитно-разупорядоченных областей. Повышенная величина rho у пленки на ZrO2(Y2O) обусловлена электросопротивлением границ между областями с различной кристаллографической ориентацией, а магнитосопротивление связано с туннелированием поляризованных носителей заряда через те границы,которые совпадают с доменными стенками. Низкотемпературное магнитосопротивление в полях выше технического насыщения вызвано сильным p-d обменом внутри спин-упорядоченных областей.
- Добавил в систему: Королёва Людмила Ивановна