Основные характеристики фотоприемников типа фотосопротивление на основе композита поли 3-гексилтиофена и наночастиц кремниястатьяИсследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 сентября 2021 г.
Аннотация:В работе исследованы спектральные зависимости токовой чувствительности и кинетики нарастания и спада фотопроводимости фотосопротивлений на основе композита полимера поли 3-гексилтиофена и наночастиц кремния. Установлено, что введение кремниевых наночастиц позволяет в широких диапазонах варьировать как спектральный диапазон работы, так и токовую чувствительность фотосопротивлений на основе композита полимера поли 3-гексилтиофена. При этом временные характеристики исследованных в работе фотосопротивлений не уступают распространенным фотодетекторам на основе P3HT/фуллерен.