Особенности гальваномагнитных и магнитных свойств монокристаллов HgCr2Se4 с добавками In и Gaстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:В монокристаллах HgCr2Se4:Ga, близких к стехиометрии, обладающих высоким удельным электросопротивлением ро ~10 - 10^5 Ом.см и резким максимумом ро в точке Кюри Ес, обнаружено изотропное гигантское положительное магнитосопротивление (МС) выше Тс. В этих кристаллах немного ниже Тс сначала наблюдается гигантское отрицательное МС~90% в поле 43 кЭ, затем МС меняет знак и сразу выше Тс становится положительным, достигая в максимуме ~ 17%. Монокристаллы HgCr2Se4:In, имеющие отклонения от стехиометрии и Обладающие низкой величиной ро~1 -10 Oм/см, обнаруживают значительно меньшее возрастание ро (приблизительно в три раза) в районе Тс и отрицательное MC ~ 70% немного ниже Тс. Максимумы положительного МС, модуля отрицательного МС, ро (для HgCr2Se4:Ga) и кривые намагниченности от температуры в районе Тс смещаются под действием магнитного поля в сторону более высоких температур. Указанные особенности МС и намагниченности объясняются с помощью примесных ферронов.