Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe в эффекте РТ-симметричной терагерцовой фотопроводимостистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 октября 2021 г.
Аннотация:В работе продемонстрировано, что РТ-симметричная терагерцовая фотопроводимость, наблюдаемая в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1-xCdxTe, находящихся в топологической фазе, связана с фотовозбуждением носителей заряда в объеме пленки. В то же время местом локализации эффекта является гетероинтерфейс топологическая пленка – тривиальный буферный слой. Обсуждается модель, описывающая такое пространственное разделение источника неравновесных носителей заряда и места проявления эффекта.