|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Температурная зависимость примесной фотопроводимости эпитаксиальных пленок CdHgTe: роль флуктуаций потенциалатезисы доклада
- Авторы: Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.
- Сборник: Материалы XXV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 9–12 марта 2021 г
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2021
- Место издания: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского г. Нижний Новгород
- Первая страница: 883
- Последняя страница: 884
- Аннотация: В работе выполнены исследования транспортных и оптических свойств узкозонных твердых растворов CdxHg1–xTe (x < 0.23), подвергнутых намеренному отжигу в атмосфере инертного газа. При различных температурах (4.2–100 К) измерялись спектры фотопроводимости (ФП) и гальваномагнитные характеристики. В спектрах фотопроводимости идентифицированы особенности, связанные с межзонным поглощением, а в субщелевой области спектра — с ионизацией примесно-дефектных состояний. Обсуждается природа возникновения особенностей в субщелевой области и влияние флуктуаций потенциала на температурные зависимости их интенсивностей
- Добавил в систему: Уаман Светикова Татьяна Аурелия А.