Distinction between electron states formed at topological insulator interfaces with the trivial phase and vacuumстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 октября 2021 г.
Аннотация:В данной работе мы показываем, что электронные состояния, образующиеся в топологических изоляторах на границах раздела топологическая фаза - тривиальная фаза и топологическая фаза - вакуум, могут обладать разными свойствами. Это продемонстрировано на примере гетероструктур на основе толстых топологических пленок Hg1-xCdxTe, в которых наблюдается РТ-симметричная терагерцовая фотопроводимость. Показано, что эффект обусловлен особенностями интерфейса топологическая пленка - тривиальный буфер / покровный слой. РТ-симметричная терагерцовая фотопроводимость не обеспечивается электронными состояниями, образующимися на границе раздела топологическая пленка - вакуум.