|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
The effect of vacancy-impurity complexes in silicon on the current–voltage characteristics of p–n junctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 июня 2021 г.
- Авторы: Bulyarskiy Sergey V., Lakalin Alexander V., Saurov Mikhail A., Gusarov Georgy G.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 128
- Номер: 15
- Год издания: 2020
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 155702
- DOI: 10.1063/5.0023411
- Добавил в систему: Бубенов Сергей Сергеевич