|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Role of Resonant Charge-Exchange in Photoluminescence of B-Doped Carbonized Porous Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2013 г.
- Авторы: Kostishko B.M.a, Atazhanov Sh R.a., Shibaev P.V.b, Nagornov Yu S.a.
- Журнал: PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES
- Том: 2000
- Номер: 7-8
- Год издания: 2000
- Первая страница: 47
- Последняя страница: 52
- Аннотация: Time dependences of photo-luminescence of porous silicon after its fast high-temperature carbonization (1000-1200°C) and simultaneous doping by B, P, Ga and Al were studied. The samples doped with B atoms show anomalously slow quenching in the blue-green band (2.4 eV) of PL, as well as non-monotonous oscillating character of PL decrease after laser excitation turnoff with the period of 50 msec.
- Добавил в систему: Шибаев Петр Валерьевич