Особенности фотопроводимости слабо и сильно легированных монокристаллов CdCr2Se4 n-типастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:Экспериментально исследована спектральная зависимость фотосопротивления R и магнитофотосопротивления (ФМС)в широком интервале температур и магнитных полей у слаболегированных Ga монокристаллов CdCr2Se4.Показано, что за максимум фотосопротивления в районе точки Кюри Тс ответственны два перехода при 1.1 эВ и 1.7 эВ. Зависимость ФМС от температуры и поля имеет сложный характер.Так, при повышении температуры в районе Тс сначала наблюдается глубокий минимум отрицательного ФМС, затем ФМС в определенном интервале полей становится положительным и проходит через максимум. Указанным особенностям дается объяснение на основе ферронной гипотезы. В области низких температур обнаружена гигантская фотопроводимость у монокристаллов CdCr2Se4, сильно легированных I.