|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Study of the Possible Charge Bistability of a Hydrogen H(2)* Defectстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Pokhil G.P., Popov V.P., Il'nitskii M.A., Fridman V.B.
- Журнал: Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques
- Том: 1
- Номер: 2
- Год издания: 2007
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 181
- Последняя страница: 185
- DOI: 10.1134/S1027451007020139
- Аннотация: The dependence of the energy of a hydrogen defect on its charge state is simulated using the modified Tersoff potential. It is shown that the hydrogen defect can serve as the bistable defect that is responsible for the thermally activated transition of a field-effect transistor and a DRAM memory cell from a good state to a bad state.
- Добавил в систему: Похил Григорий Павлович