|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
The effect of thermal annealing on the properties of Al-AlOx-Al single electron tunneling transistorsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Scherer H., Weimann Th, Zorin A.B., Niemeyer J.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 90
- Номер: 5
- Год издания: 2001
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 2528
- Последняя страница: 2532
- Добавил в систему: Зорин Александр Борисович