|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAsстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский, Галиев Г.Б., Климов Е.А., Пономарев Д.С., Гладков В.П., Кульбачинский В.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А.
- Журнал: Физика и техника полупроводников
- Том: 45
- Номер: 5
- Год издания: 2011
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 666
- Последняя страница: 671
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич