Аннотация:Представлены результаты исследования эффекта резистивного переключения (РП) в структурах металл / нанокомпозит / металл (М/НК/М) на базе НК (CoFeB)x(LiNbO3)100-x. Показано, что структуры демонстрируют стабильные РП с характеристиками, необходимыми для построения нейроморфных вычислительных систем. Предложена качественная модель многоуровневого РП, основанная на многофиламентном механизме переключения. Продемонстрирована возможность использования НК-мемристоров в качестве синапсов на примере простых нейроморфных сетей.