Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Выявление дефектов в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN методами ЦКЛ и ЦКЛ-ВСР в РЭМ
тезисы доклада
Авторы:
Габельченко А.И.
,
Иванников П.В.
Сборник:
Тезисы докладов 7-ой Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы"
Тезисы
Год издания:
2010
Место издания:
Санкт-Петербург
Первая страница:
205
Последняя страница:
206
Добавил в систему:
Габельченко Антон Игоревич