ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ СПИН-ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОДЕЛИ КОГЕРЕНТНОГО ВРАЩЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ СВОБОДНОГО СЛОЯстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2022 г.
Аннотация:Рассмотрено влияние магнитного поля, направленного ортогонально оси легкого намагничивания спин-туннельного перехода (СТП) эллиптической формы на основе структурыTa/CoFe/CoFeB/MgO/CoFeB/Ru/CoFe/FeMn/Ta, на зависимость сопротивления СТП отвнешнего магнитного поля. Проведен расчет данной зависимости с использованием модели когерентного вращения намагниченности свободного слоя. Результаты расчетов сопоставимы с экспериментальными исследованиями и могут применяться при моделировании конструкции преобразователей магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур.