Исследование возможности получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними с помощью процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения

Дедкова, А.А.; Киреев, В.Ю.; Мысливец, А.С.; Розель, П.А.; Трифонов, А.Ю.

Авторы: Дедкова А.А., Киреев В.Ю., Мысливец А.С., Розель П.А., Трифонов А.Ю.
Журнал: Российские нанотехнологии
Том: 14
Номер: 5-6
Год издания: 2019
Издательство: НИЦ «Курчатовский институт»
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 50
Последняя страница: 55
DOI: 10.21517/1992-7223-2019-5-6-50-55
Аннотация: В настоящее время для получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними в производстве интегральных микросхем применяются процессы атомно-слоевого осаждения и магнетронного распыления. Однако существуют процессы ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения, которые в основном используются для получения многослойных оптических покрытий. Исследована возможность получения структур с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними в процессах ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого осаждения. Исследования проведены методами времяпролетной вторичной ионной масс-спектрометрии и спектральной эллипcометрии. На примере структуры Ta (3 нм)/Nb (3 нм)/Ta (3 нм) впервые показано, что процесс ионно-лучевого осаждения позволяет формировать структуры с нанометровыми толщинами слоев и резкими границами раздела между ними. Тогда как в процессе реактивного ионно-лучевого осаждения структуры Nb (3 нм)/Ta2 O5 (3 нм)/Nb (3 нм) происходит окисление на всю толщину металлического слоя, следующего за слоем оксида металла, за счет ионов, атомов и молекул кислорода, содержащихся в ионном пучке.
Добавил в систему: Дедкова Анна Александровна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН