Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Электрофизические свойства p-n гетероструктур на основе нановолокон ZnO и NiO
статья
Тезисы
Авторы:
Мартышов М.Н.
,
Платонов В.Б.
,
Кашкаров П.К.
Сборник:
Труды Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники"
Год издания:
2021
Место издания:
ПОЛИТЕХ-ПРЕСС Санкт-Петербург
Первая страница:
165
Последняя страница:
166
Добавил в систему:
Мартышов Михаил Николаевич