|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Spin accumulation and spin Hall effect in a two-layer system with a thin ferromagnetic layerстатья
- Авторы: Zhuravlev Michail Ye, Alexandrov Artem, Vedyaev Anatoly
- Журнал: Journal of Physics Condensed Matter
- Год издания: 2022
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- DOI: 10.1088/1361-648x/ac4c65
- Аннотация: Spin accumulation and spin current are phenomena that enhanced the functionality of the devices operating with charge and spin. We calculated them for the system consisting of a ferroelectric barrier and a thin ferromagnetic layer when the current flows parallel to the interface. We assume Dresselhaus and Rashba spin-orbit coupling linear in electron wave number. We demonstrate that spin accumulation and spin current can be manipulated by changing the direction of the magnetization of the FM layer with respect to the crystallographic axes of the ferroelectric barrier.
- Добавил в систему: Андрианов Тимофей Андреевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | JPCM_2022.pdf | 821,5 КБ | 15 февраля 2022 [timofey.andrianov] |