Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Low temperature electrical conductivity of heavily doped Si
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 13 июня 2017 г.
Авторы:
Abramov V.V.
,
Brandt N.B.
,
Kul’bachinskii V.A.
,
Timofeev A.B.
,
Ul’yashin A.G.
,
Shlopak N.V.
,
Gorol’chuk I.G.
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
25
Номер:
3
Год издания:
1991
Первая страница:
310
Последняя страница:
312
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич