|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Synthesis and thermoelectric properties of Re3As6.6In0.4 with Ir3Ge7 crystal structureстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 октября 2013 г.
- Авторы: Verchenko V.Yu, Vasiliev A.S., Tsirlin A.A., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Shevelkov A.V.
- Журнал: Beilstein journal of nanotechnology
- Том: 4
- Год издания: 2013
- Издательство: Beilstein-Institut zur Förderung der Chemischen Wissenschaften
- Местоположение издательства: Frankfurt am Main, Germany
- Первая страница: 446
- Последняя страница: 452
- DOI: 10.3762/bjnano.4.52
- Аннотация: The Re3As7−xInx solid solution was prepared for x ≤ 0.5 by heating the elements in stoichiometric ratios in evacuated silica tubes at 1073 K. It crystallizes with the Ir3Ge7 crystal structure, space group Im−3m, with a unit-cell parameter a ranging from 8.716 to 8.747 Å. The crystal structure and properties were investigated for a composition with x = 0.4. It is shown that indium substitutes arsenic exclusively at one crystallographic site, such that the As–As dumbbells with dAs–As = 2.54 Å remain intact. Re3As6.6In0.4 behaves as a bad metal or heavily doped semiconductor, with electrons being the dominant charge carriers. It possesses high values of Seebeck coefficient and low thermal conductivity, but relatively low electrical conductivity, which leads to rather low values of the thermoelectric figure of merit.
- Добавил в систему: Верченко Валерий Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | 2190-4286-4-52.pdf | 2,4 МБ | 5 сентября 2013 [Verchenko] |