|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structuresстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 мая 2022 г.
- Авторы: Torkhov N.A., Gradoboev A.V., Orlova K.N., Toropov A.S.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 37
- Номер: 5
- Год издания: 2022
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Номер статьи: 055023
- DOI: 10.1088/1361-6641/ac557e
- Аннотация: The size effect observed in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts (OCs) makes itself evident in the dependence of their relative electrical characteristics RSH, RSK, ρ and geometrical parameter LT on the LTLM test line width Wk. The paper explores the geometry of relief (topography) irregularities and their interface conductivity, indicating the great significance of the fractal geometry for the description of the electrophysical and device characteristics. The regularities discovered can be of great practical importance in terms of OC development and optimization for micro-/nanoelectronics demands.
- Добавил в систему: Торопов Андрей Сергеевич