Этапы дефектообразования в графеновом покрытии на медной подложке при облучении ионами гелия и аргонастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 июня 2022 г.
Аннотация:Осажденное на медную подложку графеновое покрытие было облучено ионами гелия и аргона с энергией 100 кэВ. Влияние флюенса облучения на структуру графенового покрытия изучалось методами комбинационного рассеяния света. Для различных параметров ионного облучения было проведено моделирование процессов дефектообразования в графеновом покрытии методом Монте–Карло в приближении бинарных столкновений. Было показано, что переход к параметру «смещение на атом» позволяет сравнивать дефектообразование в двумерной мишени для различных параметров облучения. В работе показано, что в процессе облучения идет накопление точечных дефектов в графеновом покрытии до значенийпараметра «смещение на атом» близкого к величине 5 × 10^−4, после чего начинается процесс объединения дефектных областей с последующим разрушением структуры покрытия при значенияхвеличины «смещение на атом» в диапазоне 5 × 10^−3− 10^−2.