|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Исследование влияния термического отжига на интерфейсы гетероэпитаксиальной структуры Si/SiGe методом рентгеновской рефлектометриитезисы доклада Тезисы
- Автор: Иванов О.В.
- Сборник: Материалы Международного молодежного научного форума «Ломоносов-2021»
- Редакторы: Алешковский Иван Андреевич, Андрианов А.В., Антипов Евгений Александрович, Зимакова Екатерина Игоревна
- Серия: География
- Тезисы
- Год издания: 2021
- Издательство: ООО "МАКС Пресс"
- Местоположение издательства: Москва
- Номер статьи: 9
- Аннотация: В работе было исследовано влияние термического отжига на интерфейсы структуры, состоящей из четырёх пар слоёв Si/SixGe1-x 100 нм каждый. Экспериментальные кривые рентгеновской рефлектометрии для этих образцов представлены на рисунке. Для образцов до и после отжига кривые XRR [2] существенно отличаются, что свидетельствует о значительной структурной перестройке и хорошей чувствительности метода.
- Добавил в систему: Иванов Олег Валерьевич