|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Formation of porous Ga2O3/GaAs layers for electronic devicesстатья
- Авторы: Suchikova Yana, Lazarenko Andriy, Kovachov Sergii, Usseinov Abay, Karipbaev Z., Popov Anatoli I.
- Сборник: 2022 IEEE 16th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET)
- Год издания: 2022
- Место издания: IEEE
- Первая страница: 410
- Последняя страница: 413
- DOI: 10.1109/tcset55632.2022.9766890
- Добавил в систему: Попов (Popov) Анатолий (Anatoli) Иванович