Formation of porous Ga2O3/GaAs layers for electronic devices - статья | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.

скрыть

Formation of porous Ga2O3/GaAs layers for electronic devicesстатья

Авторы: Suchikova Yana, Lazarenko Andriy, Kovachov Sergii, Usseinov Abay, Karipbaev Z., Popov Anatoli I.
Сборник: 2022 IEEE 16th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET)
Год издания: 2022
Место издания: IEEE
Первая страница: 410
Последняя страница: 413
DOI: 10.1109/tcset55632.2022.9766890
Добавил в систему: Попов (Popov) Анатолий (Anatoli) Иванович