Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
тезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
Авторы:
Kulbachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Yuzeeva N.A.
,
Galiev G.B.
,
Vasilievskii I.S.
,
Klimov E.A.
Сборник:
International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication
Тезисы
Год издания:
2011
Место издания:
Singapore
Первая страница:
68
Добавил в систему:
Кульбачинский Владимир Анатольевич