|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Influence of spin-orbit interaction within the insulating barrier on the electron transport in magnetic tunnel junctionsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 мая 2017 г.
- Авторы: Vedyayev A., Ryzhanova N., Strelkov N., Titova M., Chshiev M., Rodmacq B., Auffret S., Cuchet L., Nistor L., Dieny and B.
- Журнал: Physical Review B
- Том: 95
- Год издания: 2017
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 064420-1
- Последняя страница: 064420-6
- DOI: 10.1103/PhysRevB.95.064420
- Аннотация: We present a theory of the anisotropy of tunneling magnetoresistance (ATMR) phenomenon in magnetic tunnel junctions (MTJs) attributed to Rashba spin-orbit interaction in the insulating barrier. ATMR represents the difference of tunnel magnetoresistance (TMR) amplitude measured with in-plane and out-of-plane magnetic configurations. It is demonstrated that within the spin-polarized free-electron model the change of conductance associated with the ATMR is exactly twice the change of conductance measured at full saturation (i.e., in parallel configuration of magnetizations) between in-plane and out-of-plane configuration, i.e., the tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR). Both ATMR and TAMR are closely related to the TMR amplitude and spin-orbit constant. The predicted ATMR phenomenon is confirmed experimentally, showing a few percent value in the case of the widely studied CoFeB/MgO/CoFeB based MTJ.
- Добавил в систему: Стрелков Никита Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | PhysRevB.95.064420.pdf | 319,4 КБ | 21 февраля 2017 [nik] |