|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAsтезисы доклада
- Авторы: Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Гладков В.П., Климов Е.А., Клочков А.Н., Юзеева Н.А., Кульбачинский В.А.
- Сборник: НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов
- Серия: Научная сессия НИЯУ МИФИ
- Том: 3
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Издательство: НИЯУ МИФИ
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 18
- Последняя страница: 21
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич